Simulación por elementos finitos de la obtencion del CdZnTe monocristalino utilizando el método de Bridgman

A. M. MARTÍNEZ; M. R. ROSENBERGER; A. B. TRIGUBÓ; C.E. SCHVEZOV; N.E. WALSÖE DE RECA

Posadas - Prov. de Misiones

Encuentro; 2do Encuentro de Jóvenes Investigadores en Ciencia y Tecnología de Materiales; 2008

ASOCIACIÓN ARGENTINA DE MATERIALES

Se simula la síntesis, por el método de Bridgman, de lingotes monocristalinos de Cd(1-y)Zn(y)Te(0 ≤ y ≤ 0,1) mediante el empleo de Métodos Numéricos (Elementos Finitos) que permite disminuir el número de pruebas experimentales de costo muy elevado, dado que este semiconductor se utiliza para fabricar detectores de rayos x y γ, y también como sustrato para crecimiento de películas epitaxiales de materiales sensibles a la radiación IR..En la modelización se tiene en cuenta de obtener el material con calidad estructural y eléctrica excelente para optimizar su sensibilidad.Se analiza la forma de la interfase, relacionada a la calidad cristalina del material, para las distintasvelocidades de traslación de la cápsula con un mismo gradiente de temperatura en el horno en el punto de solidificación del semiconductor.