Dispersión Raman resonante debida a fonones ópticos confinados en una cavidad semiconductora II-VI

A. BRUCHHAUSEN; A. FAINSTEIN; B. JUSSERAND; R. ANDRÉ

Bariloche, Prov. Río Negro, Argentina

Conferencia; 88a Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina (AFA); 2003

Presentamos mediciones de dispersi´on Raman debida a fonones ´opticos confinados en pozos cu´anticos (QW´s) de CdTe, implantados como medio activo en una microcavidad semiconductora II-VI que presenta acoplamiento fuerte fot´on-excit´on. Los experimentos fueron realizados en resonancia saliente con la rama polarit´onica intermedia. El espectro Raman de primer orden de los fonones ´opticos presenta un pico principal debido al primer fon´on ´optico confiando par, y oscilaciones equiespaciadas hacia el lado de menores energ´{i}as relativas. Estas oscilaciones son atribuidas a los anticruces en la relaci´on de dispersi´on de los fonones ´opticos de interfase del tipo CdTe con los fonones confinados impares de los QW´s. La presencia de estas oscilaciones en el espectro Raman de primer orden y la ausencia de lasmismas en los de orden superior, ayudan a entender los mecanismos por los cuales se produce la dispersi´on Raman mediada por polaritones de cavidad.