INVESTIGADORES
RENTERIA Mario
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio ab initio del comportamiento del tensor Gradiente de Campo eléctrico en sitios de impurezas Ta en SnO2
Autor/es:
GERMÁN NICOLÁS DARRIBA; EMIILIANO LUIS MUÑOZ; LEONARDO A. ERRICO; MARIO RENTERÍA
Lugar:
S.C. de Bariloche
Reunión:
Congreso; 98° Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2013
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
En este trabajo presentamos un estudio detallado del
tensor Gradiente de Campo Eléctrico (GCE) en sitios de impureza Ta en la fase
rutilo del semiconductor SnO2 mediante la realización de cálculos ab initio. Dichos cálculos fueron
realizados con el método Full-Potential Augmented Plane Wave plus local
orbitals (FP-APW+lo) en el marco de la Teoría de la Funcional Densidad
(DFT) a través de su implementación en el código WIEN2k. Las impurezas Ta se encuentran localizadas en
sitios sustitucionales de Sn, y diluidas de forma tal de representar una
impureza aislada. Dado que el Ta actúa como una impureza donora cuando
sustituye a un Sn, los cálculos fueron realizados con dos estados de carga
diferentes: neutro (SnO2:Ta0) y removiendo un electrón
del sistema (SnO2:Ta+).
Particularmente pretendemos explicar el
comportamiento del GCE en los sistemas SnO2:Ta0 y SnO2:Ta+ frente al proceso de
relajación estructural introducido por la impureza Ta hasta alcanzar su
estructura de equilibrio.
Un punto importante es por qué en los sistemas no
relajados el valor del GCE es dependiente del estado de carga y en los sistemas
relajados u optimizados no. Otro punto relevante es por qué en el sistema SnO2:Ta0
el GCE no cambia al relajar la estructura y si lo hace en el sistema SnO2:Ta+.
Para entender estos comportamientos se presenta un estudio detallado de las
diferentes contribuciones (particularmente p
y d) al GCE, la densidad electrónica
alrededor de la impureza Ta y las densidades de estado parciales proyectadas
sobre la impureza, que es donde el GCE posee su origen.