Optimización de la temperatura de deposición en películas semiconductoras de SnO2:F

M.F. DEL GROSSO; C.P. RAMOS; F. ALVAREZ; A. BOSELLI; N. DI LALLA

San Carlos de Bariloche

Congreso; Reunión anual de la Asociación Física Argentina; 1995

El SnO2:F en su forma estequiométrica se comporta como un aislador, pero en la práctica dado los apartamientos de estequiometría que se inducen por el agregado de otros elementos, actúa como un semiconductor tipo n con un band gap ancho. Si se lo prepara adecuadamente tiene algunas propiedades muy importantes tales como: alta conductividad eléctrica, gran transparencia en la región visible, gran reflectividad en la región infrarroja, buena adhesión al sustrato, muy buena estabilidad química y resistencia mecánica. Los campos de aplicación son muy variados: enegía solar, optoelectrónica, recubrimientos metalúrgicos, sensores de gas, etc. En el presente trabajo, mediante estudios con microscopía electrónica de barrido con facilidad de análisis dispersivos en energía (SEM –EDAX) y difracción de rayos X (XRD), se caracterizaron muestras depositadas mediante la técnica de spray pyrolysis para diferentes temperaturas del sustrato (573 K, 623 K, 673 K, 698 K, 723 K). La misma se llevó a cabo para determinar la temperatura más apropiada en la obtención de una capa que actúe como buen óxido conductor transparente. El análisis condujo a la conclusión que la temperatura óptima de deposición debe estar en el entorno de 698 K.