Microfabricacion de Sistemas Memristivos

N. GHENZI; F. G. MARLASCA; M. C. FUERTES; D. RUBI; P. STOLIAR; P. LEVY

Villa Carlos Paz

Congreso; 97ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2012

Asociación Física Argentina

Entre las memorias no volátiles de próxima generación, se encuentran las basadas en la conmutación de la resistencia eléctrica (RS: resistive switching). Este fenómeno, que se produce en la interfaz entre óxidos de metales de transición y electrodos metálicos; permitirá la implementación de celdas de memoria rápidas y miniaturizables. Cuando se trata de un óxido simple, TiO2 en nuestro caso, el estímulo que produce la conmutación reversible puede ser unipolar o bipolar. Existe un amplio consenso sobre que el mecanismo subyacente al RS está basado en la migración iónica y en la creación/ruptura de filamentos conductores. Recientemente, mediante mediciones de transporte eléctrico en celdas con electrodos de Cu, hemos obtenido evidencia de la creación - ruptura de filamentos debido a la difusión de iones oxígeno y cobre. En este procedimiento, los pulsos de amplitud variable determinan el estado de la interfaz, y una pequeña corriente de polarización (bias) es utilizada para sondear el estado remanente luego del pulsado. Hemos comparado los resultados experimentales con simulaciones numéricas basadas en el modelo de migración de vacancias de oxígeno aumentada por campo eléctrico (VEOV) [1], el cual hemos adaptado para su implementación en junturas compuestas por óxidos simples. Se observó un excelente acuerdo entre los experimentos y las simulaciones. Por último, presentamos resultados preliminares de la evolución del RS con / sin irradiación de protones y de iones Oxigeno, en las facilidades del Acelerador Tandar. [1] Phys. Rev. B 81, 115101 (2010), J. Appl Phys. 107, 093719 (2010); Appl Phys Lett 98, 123502 (2011); J. Appl Phys. 111, 084512 (2012 ).