Estudio teórico de la adsorción de hidrógeno sobre la superficie ¦Â-Ga2O3(100)

E. GONZÁLEZ, P. JASEN, C. LUNA, G. BRIZUELA, A. JUAN

Merlo. San Luis, Argentina

Congreso; Reunión de la Asociación Física Argentina; 2006

Asociaci¨®n F¨ªsica Argentina

Se ha modelado la superficie (100) de la fase beta Ga2O3 optimizada por medio de calculos ab initio. La geometria de adsorcion de un atom de hidrogeno sobre dicha superficie ha sido determinada por medio de metodos quimico cuanticos semiempiricos. EL H ha sido localizado en un sitio tetrahedrico de atoms de Ga, no detectandose enlaces con los oxigenos de la superficie. Caom una consecuencia del enlace Ga-H la OP orbital Ga-O dismunuye. Este resultado concurda con reciences determinaciones de espectroscopia IR. Se reporta tambien la composicion de enlaces Ga-H y la DOS en sitios tetra y octahedricos. Se ha modelado la superficie (100) de la fase beta Ga2O3 optimizada por medio de calculos ab initio. La geometria de adsorcion de un atom de hidrogeno sobre dicha superficie ha sido determinada por medio de metodos quimico cuanticos semiempiricos. EL H ha sido localizado en un sitio tetrahedrico de atoms de Ga, no detectandose enlaces con los oxigenos de la superficie. Caom una consecuencia del enlace Ga-H la OP orbital Ga-O dismunuye. Este resultado concurda con reciences determinaciones de espectroscopia IR. Se reporta tambien la composicion de enlaces Ga-H y la DOS en sitios tetra y octahedricos.