Formación de una capa superficial de GaMn en substrato de GaAs co-implantado con Mn y As

EMILIO DE BIASI; ÁNGELO MALACHIAS; J. BETTINI; PUDENZI MARCIO; DE SIERVO ABNER; M. BEHAR; ROBERTO DANIEL ZYSLER

Encuentro; X Encuentro CNEA "Superficies y Materiales Nanoestructurados"; 2010

En este trabajo reportamos la formación de una delgada capa de GaMn magnética sobre un substrato de GaAs sobre el que se realiza una doble implantación de Mn y As. Las muestras fueron tratadas térmicamente a 750 C durante 50 segundos. Además de la mencionada capa, clusters internos de MnAsGa fueron detectados a través de microscopía electrónica de transmisición. Estudios realizados con difracción de rayos X muestran una recristalización trigonal de GaMn. Por otra parte, estudios magnéticos indican que mientras los clusters internos tienen una alta anisotropía magnética asociada, la capa superficial presenta una débil anisotropía en el plano. Además, se observan marcadas difrerencias en las temperatiras de orden de estos sistemas, la de la capa superficial es superior a 400 K mientras que la asociada a los clusters es del orden de 360 K.