Estudio de Correlaciones Angulares de mezclas Si-HfO2 sometidas a molido mecánico de alta energía

C.Y. CHAIN; S. FERRARI; L.C. DAMONTE; J.A. MARTINEZ; C.E. RODRÍGUEZ TORRES; A.F. PASQUEVICH

Conferencia; Reunion de la Asociacion Fisica Argentina; 2010

El interes nanotecnológico en reducir las dimensiones de los dispositivos electrónicos, basados en Si y óxidos metálicos semiconductores, ha conducido a la necesidad de reemplazar al aislante SiO2 por óxidos de alta constante dieléctrica. Es deseable usar un material dielectrico estable sobre sustratos de silicio y que muestre con él una interface de calidad comparable a la del SiO2. El óxido de hafnio(HfO2) es un buen candidato para reemplazar al SiO2 debido a que es un material duro con una constante dieléctrica. relativamente alta y una banda prohibida (gap) ancha. Sin embargo, la formación de siliciuros, silicatos, u otras fases espureas pueden modificar las propiedades y eficiencias de los dispositvos. Se ha reportado que mezclas de HfO2 o ZrO2 con SiO2 exhiben excelentes propiedades eléctricas y una alta estabilidad termodinámica en contacto con Si. Esto hace atractivo el estudio de las reacciones de estado sólido entre SiO2 y HfO2. En este trabajo presentamos un estudio combinado de Correlaciones Angulares Pertubadas (PAC) y difracción de rayos X (XRD) de sistemas HfO2 + M (M: HfO2, Si, SiO2) sujetos a molienda mecánica. La principal motivación es analizar la incorporación de Si en el HfO2 como así también los defectos inducidos por la molienda mecánica