Estructura electrónica y propiedades estructurales de interfaces semiconductoras del grupo III-V mediante primeros principios

I. ARELLANO RAMIREZ; A.V. GIL REBAZA; S. AMAYA RONCANCIO; E. RESTREPO-PARRA

Valledupar

Encuentro; IX Encuentro Regional de Ciencias Físicas; 2023

En este estudio, presentamos la estructura de bandas y las propiedades estructurales de las interfaces (GaAs)m/(InAs)n (m, n =1 a 3) utilizando cálculos ab-initio dentro de la teoría funcional de la densidad. La interacción electrón-ion se describe con un pseudopotencial relativista escalar ultrasuave. Dentro de la aproximación de gradiente generalizado (GGA), se utiliza la función de correlación de intercambio PBE. La energía de corte cinético (Ecutwfc) se establece en 70 Ry y el corte para la densidad aumentada se establece en 700 Ry después de los cálculos de convergencia. Se minimiza la energía de todas las estructuras para encontrar la constante de red óptima, debido al desajuste entre los parámetros de red, y la altura óptima (m, n). Posteriormente, se realiza una relajación geométrica de todas las posiciones atómicas y parámetros de la red para asegurar la minimización de la energía. Las energías de cohesión y de formación de interfaz se calculan para entender la estabilidad energética. Además, se presentan cálculos dedensidad de estados para determinar la variación en el ancho de banda prohibida de las interfaces estudiadas.