Corrección GW para la función dieléctrica del compuesto GeSe bajo presión hidrostática

L. MAKINISTIAN; E.A. ALBANESI

Malargüe-Mendoza

Congreso; 95° Reunión Anual de la Asociación Física Argentina; 2010

AFA

El cristal semiconductor GeSe forma una estructura ortorrómbica en capas, caracterizada por interacciones débiles del tipo de van der Waals entre capas diferentes, y por ligaduras fuertes entre los átomos dentro de cada capa. En otros trabajos hemos estudiado las propiedades electrónicas y ópticas de este material a presión ambiente, y mostrado que la interacción spin-órbita no representa una contribución importante en este sistema. En el presente estudio, minimizando las fuerzas internas por relajación de las posiciones atómicas, determinamos cómo influye la presión hidrostática sobre la función dieléctrica compleja, obtenida utilizando las correcciones de muchos cuerpos GW para una correcta descripción de los estados excitados del sistema. Asimismo, mostramos las modificaciones que se producen en el band gap del sistema a diferentes presiones. Mientras que la comparación con los datos experimentales en el rango existente muestra muy buen acuerdo, nuestros cálculos se extienden predictivamente a un rango de presiones aún más amplio. Nuestros resultados muestran anisotropía bi- y triaxial en la función dieléctrica, para diferentes rangos de energía de fotones incidentes.