INTEC 05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Propiedades estructurales y electrónicas del semiconductor In4Te3
Autor/es:
N. V. GONZALEZ LEMUS; E. A. ALBANESI
Lugar:
Malargüe
Reunión:
Congreso; 96 Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2010
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
En este trabajo se realizó el cálculo ab-initio
de la estructura electrónica del semiconductor de estructura cristalina
ortorrómbica en capas In4Te3 utilizando la aproximación
de pseudopotenciales dentro de la teoría de la funcional densidad (DFT) usando
para el potencial de intercambio y correlación la aproximación de la densidad
local (LDA). También se calculo la corrección de energía a la DFT, por medio
del cálculo GW de la teoría de perturbaciones de muchos cuerpos.
