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El fenómeno de conmutación resistiva consiste en el cambio súbito de la resistencia eléctrica de un sistema material como consecuencia de la aplicación de una tensión o corriente eléctrica. Lo que lo diferencia de la ruptura de una película de óxidos a altas tensiones es que el primero no daña al sistema material y usualmente el cambio entre los estados de baja y alta resistencia es reversible. Este fenómeno físico miniaturizable y manifiesto en memristores está siendo objeto de una intensa investigación por la ubicación conjunta de memoria y computación en un mismo dispositivo. Esto lo convierte en una alternativa más eficiente para aplicación en dispositivos de memoria resistiva (ReRAM) y es un enfoque crucial hacia la realización de un sistema práctico en computación neuromórfica (inteligencia artificial) por emulación de redes neuronales biológicas.Los materiales orgánicos ionotrónicos (conducción mixta iónica y electrónica) han ganado un interés significativo por su capacidad para sintonizar sus características o variables de estado en comparación y analogía con la manipulación de defectos atómicos en materiales inorgánicos. En 2014 se publicó el primer trabajo con un memristor de perovskita de haluro (PH), y desde ese entonces se vienen estudiando semiconductores de PH con diferentes formulaciones y configuraciones por ser ionotrónicos, por la conmutación en la concentración de portadores mayoritarios y por el decaimiento lento de la fotocorriente. El abordaje que prevalece en los artículos publicados hasta la fecha es la búsqueda de mejoras en las propiedades de los materiales y del dispositivo final y aunque en la mayoría se propone un mecanismo de funcionamiento de los tres mecanismos más aceptados, se evidencian deficiencias en los fundamentos y contrastes según algunos autores u otros.Para ganar comprensión de los mecanismos físico-químicos que gobiernan los procesos internos de los memristores basados en perovskitas de haluro de plomo MAPbI3, se realizó un estudio sistemático con diferentes contactos metálicos. La configuración de los dispositivos fue FTO/PEDOT:PSS/MAPbI3/metal/Au con los metales Pt, Au, Cu o Ag.La respuesta del memristor en una curva J-V es la de un resistor variable, cuyo valor de resistencia depende de la cantidad de corriente que haya circulado a través de él, es decir, de su historia previa. Esto lleva a efectos no lineales e histéresis. En este trabajo se mostrará un modelo eléctrico dinámico que permite obtener información física sobre el acoplamiento de propiedades iónicas y electrónicas.

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