Dinámica de vacancias de oxígeno en memristores de Pt/TiOx/TaOy/Pt: intercambio con el medio ambiente y electromigración interna

LEAL MARTIR, RODRIGO; JOSÉ SÁNCHEZ, MARÍA; AGUIRRE, M. H.; QUIÑONEZ, WALTER; C. FERREYRA; ACHA, C; J. LECOURT; U. LUDERS; D RUBI

virtual

Congreso; Reunión Anual de la Asociación Física Argentina; 2022

Se denomina memristores a dispositivos con estructura metal/aislante/metal que muestranun cambio –usualmente no volátil- de su resistencia eléctrica ante la aplicación de estímuloeléctrico externo.Para volver a un memristor operativo es necesario hacerlo pasar por un proceso deelectroformado, el cual consiste en la aplicación de una serie de estímulos eléctricos quepermiten llevar al sistema desde un estado virgen hasta otro donde muestra el efectomemristivo buscado.En este trabajo se estudió, para microdispositivos de Pt/TiOx/TaOy/Pt, el intercambio deoxígeno con el medio ambiente ante la aplicación de un estímulo eléctrico externo. A travésde una combinación de experimentos y simulaciones numéricas, se determinó que tanto lacapa de TiOx como la de TaOy se oxidan durante el proceso de electroformado incorporandooxígeno ambiental. Una vez que el efecto memristivo se encuentra estabilizado, losresultados sugieren que el intercambio de oxígeno con el medio ambiente se interrumpe yque la y que la dinámica de VO que rige el comportamiento memristivo está limitada a laelectromigración interna entre ambos óxidos