Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades el¢¥ectricas y estructurales

F. GARCÉS; L. N. ACQUAROLI; A. DUSSAN; R.R. KOROPECKI; R.D. ARCE

Malargüe

Congreso; 95¡Æ Reunión de la Asociación Física Argentina; 2010

La deposici¢¥on de ¢¥oxidos transparentes conductores sobre silicio poroso, permite la obtenci¢¥on de contactos con efectos de atrapamiento de luz, de gran inter¢¥es para aplicar en dispositivos fotovoltaicos. Los ¢¥oxidos utilizados suelen tener agregados que funcionan como dopantes. En el caso del SnO2 estos elementos pueden ser el F, el Cl o el Sb. La inserci¢¥on de estos dopantes en el TCO modifica la estructura del ¢¥oxido alterando las propiedades el¢¥ectricas del material. A efectos de investigar este comportamiento se sintetizaron varias soluciones precursoras de variando la concentraci¢¥on del dopante, utilizando la t¢¥ecnica Sol-Gel para la deposici¢¥on de estos sobre los sustratos de silicio poroso. El silicio poroso fue obtenido a trav¢¥es de la anodizaci¢¥on electroqu¢¥©¥mica del silicio cristalino de modo que los poros tengan di¢¥ametros de aproximadamente 1.5 ¥ìm. El sistema obtenido se caracteriz¢¥o superficial y estructuralmente utilizando la t¢¥ecnica de microscopia SEM y difracci¢¥on de rayos X respectivamente. A trav¢¥es de estas mediciones se confirmo la penetraci¢¥on del ¢¥oxido al interior de a estructura porosa y se confirmo la fase cristalina, acorde con la estructura del SnO2. Este contacto semiconductor-TCO se caracteriz¢¥o el¢¥ectricamente por medio de la medici¢¥on de la curva I-V del dispositivo. Los resultados mostraron un comportamiento del tipo Schotky en todos los casos. El ajuste de las curvas I-V con un modelo del tipo diodo simple dio como resultado valores para el factor de idealidad entre 12 y 20, y una resistencia en serie entre 100 y 2 K.2 estos elementos pueden ser el F, el Cl o el Sb. La inserci¢¥on de estos dopantes en el TCO modifica la estructura del ¢¥oxido alterando las propiedades el¢¥ectricas del material. A efectos de investigar este comportamiento se sintetizaron varias soluciones precursoras de variando la concentraci¢¥on del dopante, utilizando la t¢¥ecnica Sol-Gel para la deposici¢¥on de estos sobre los sustratos de silicio poroso. El silicio poroso fue obtenido a trav¢¥es de la anodizaci¢¥on electroqu¢¥©¥mica del silicio cristalino de modo que los poros tengan di¢¥ametros de aproximadamente 1.5 ¥ìm. El sistema obtenido se caracteriz¢¥o superficial y estructuralmente utilizando la t¢¥ecnica de microscopia SEM y difracci¢¥on de rayos X respectivamente. A trav¢¥es de estas mediciones se confirmo la penetraci¢¥on del ¢¥oxido al interior de a estructura porosa y se confirmo la fase cristalina, acorde con la estructura del SnO2. Este contacto semiconductor-TCO se caracteriz¢¥o el¢¥ectricamente por medio de la medici¢¥on de la curva I-V del dispositivo. Los resultados mostraron un comportamiento del tipo Schotky en todos los casos. El ajuste de las curvas I-V con un modelo del tipo diodo simple dio como resultado valores para el factor de idealidad entre 12 y 20, y una resistencia en serie entre 100 y 2 K.¥ìm. El sistema obtenido se caracteriz¢¥o superficial y estructuralmente utilizando la t¢¥ecnica de microscopia SEM y difracci¢¥on de rayos X respectivamente. A trav¢¥es de estas mediciones se confirmo la penetraci¢¥on del ¢¥oxido al interior de a estructura porosa y se confirmo la fase cristalina, acorde con la estructura del SnO2. Este contacto semiconductor-TCO se caracteriz¢¥o el¢¥ectricamente por medio de la medici¢¥on de la curva I-V del dispositivo. Los resultados mostraron un comportamiento del tipo Schotky en todos los casos. El ajuste de las curvas I-V con un modelo del tipo diodo simple dio como resultado valores para el factor de idealidad entre 12 y 20, y una resistencia en serie entre 100 y 2 K.2. Este contacto semiconductor-TCO se caracteriz¢¥o el¢¥ectricamente por medio de la medici¢¥on de la curva I-V del dispositivo. Los resultados mostraron un comportamiento del tipo Schotky en todos los casos. El ajuste de las curvas I-V con un modelo del tipo diodo simple dio como resultado valores para el factor de idealidad entre 12 y 20, y una resistencia en serie entre 100 y 2 K.y 2 K.