Caracterización de semiconductores con el metodo de red oscilante de fotoportadores

VENTOSINOS, F.; BUDINI, N.; LONGEAUD, C.; SCHMIDT, J. A.

Malargue

Congreso; 95º Reunión Nacional de Física; 2010

Asociacion Fisica Argentina

En este trabajo se propone un nuevo m¨¦todo para la caracterizaci¨®n de semiconductores, que denominamos Red Oscilante de Fotoportadores. Consiste en hacer interferir dos haces de luz sobre una muestra provista de contactos coplanares, midiendo su conductividad. Al hacer pasar uno de los haces por un modulador electro-¨®ptico, se controla la fase de este haz sin cambiar su polarizaci¨®n. De esta forma se obtiene un patr¨®n de interferencia que oscila a una frecuencia dada ¦Ø, movi¨¦ndose alternativamente con velocidad constante en una y otra direcci¨®n. Esto genera una corriente ac que puede ser le¨ªda con un amplificador lock-in, facilitando su medici¨®n. Para una correcta descripci¨®n y ejecuci¨®n del experimento se analizaron y resolvieron las ecuaciones de transporte que gobiernan el fen¨®meno. Las soluciones anal¨ªticas obtenidas nos permitieron simular num¨¦ricamente el experimento, corroborando as¨ª las caracter¨ªsticas generales de las curvas obtenidas bajo diferentes condiciones experimentales (campos el¨¦ctricos aplicados, per¨ªodos de interferencia y tasas de generaci¨®n de portadores). Las variaciones observadas en las curvas al modificar estos par¨¢metros nos permitieron correlacionar los datos experimentales con un tiempo de respuesta caracter¨ªstico del material estudiado. El conocimiento de este tiempo es interesante desde el punto de vista de la aplicaci¨®n de este material en la producci¨®n de dispositivos fotovoltaicos.