Defectos inducidos por irradiación de electrones y molienda mecánica en compuestos de ZnO

M.A.HERNÁNDEZ-FENOLLOSA; L. C. DAMONTE; B.MARÍ

Actas dell III Encuentro de Investigación de la Universidad Politécnica

UPV

Lugar: Valencia; Año: 2005; p. 511 - 512

El compuesto semiconductor ZnO en la actualidad ocupa la atención de numerosos investigadores debido a sus atractivas aplicaciones en el campo de la optoelectrónica. Los defectos puntuales intrínsecos y/o inducidos en las diversas etapas tecnológicas pueden modificar las propiedades del material. El objetivo de este trabajo es profundizar en la comprensión de la naturaleza de los centros activos que gobiernan las características eléctricas y ópticas de estos materiales. Para simular los defectos que se introducen durante la estapa tecnológica de preparación de dispositivos, utilizamos material masivo y generamos defectos mediante dos métodos: irradiación con electrones  de monocristales de ZnO y molienda mecánica de polvos cristalinos de ZnO puro y con adicción de otros compuestos óxidos (MgO y CdO). En el caso de ZnO monocristalino, la irradiación con electrones de alta energía produce el desplazamiento de los átomos (Zn y O) de sus sitios de red. Mediante PAS y PL se estudiará el efecto producido por diferentes dosis de radiación, caracterizando el tipo y carga de los defectos inducidos, así como la característica cristalina del material. La sustitución catiónica en el ZnO modifica el ancho de la banda prohibida, disminuyendo con el Cd y aumentando con el Mg. Mediante la preparación por molienda mecánica de estos óxidos, se busca la incorporación progresiva del Cd (Mg) en el sitio del Zn. A su vez, el molido introduce defectos en la red cristalina. A través de las técnicas PAS y PL se estudian los tipos de defectos inducidos por trabajo mecánico. Se analizan la evolución de los diferentes parámetros propios de cada técnica en función del tiempo de molido, frecuencia de molienda y tratamientos térmicos posteriores.