Metodos de medición de espesores de películas delgadas basadas en óxidos semiconductores

E. A. VILLEGAS; R. PARRA; L. A. RAMAJO

REVISTA MEXICANA DE FíSICA

SOC MEXICANA FISICA

Lugar: México; Año: 2018 vol. 64 p. 364 - 367

0035-001X

Las pel´ıculas transparentes basadas en oxidos de Ti, Sn y Zn tienen gran importancia en dispositivos electr ´ onicos tales como sensores, celdas ´solares y pel´ıculas conductoras haciendo que las tecnicas de caracterizaci ´ on sean altamente relevantes. Este trabajo tiene como objetivo ´identificar las ventajas y desventajas de los metodos directos, tales como perfilometr ´ ´ıa e indirectos, elipsometr´ıa y espectrofotometr´ıa, paracuantificar espesores de pel´ıculas delgadas de oxidos de Ti, Sn y Zn. Las pel ´ ´ıculas se depositaron por spray-pyrolysis sobre sustratos devidrio a 425◦C. En todos los casos, los espesores obtenidos variaron entre 150 y 300 nm, con una diferencia inferior al 10 % y 20 % entre lastecnicas espectrofotometr ´ ´ıa y elipsometr´ıa, respectivamente, con respecto al valor obtenido mediante perfilometría.Transparent films based on Ti, Sn and Zn oxides are of great importance in electronic devices such as sensors, solar cells and conductivefilms, then the characterization techniques are highly relevant. The aim of this work is to identify the advantages and disadvantages of directmethods, such as profilometry, and indirect methods such as ellipsometry and spectrophotometry used to quantify film thickness. In this work,films were deposited by spray-pyrolysis on glass substrates at 425◦C. Thicknesses varied between 150 and 300 nm. Thicknesses calculatedby means of spectrophotometry and ellipsometry, led to differences below 10 % and 20 %, respectively, with respect to the value measuredby profilometry.