INVESTIGADORES
STEREN Laura beatriz
congresos y reuniones científicas
Título:
Nanoestructuración en cintas de MnAs y análisis de efectos de confinamiento en sus propiedades físicas.
Autor/es:
D. VAZQUEZ, M. SIRENA, M. TORTAROLO, L.B. STEREN, M. EDDRIEF, V. H. ETGENS
Lugar:
Buenos Aires
Reunión:
Congreso; SAM-CONAMET 2009; 2009
Institución organizadora:
Sociedad Argentina de Materiales
Resumen:
<!-- /* Font Definitions */ @font-face {font-family:"Bitstream Vera Sans"; mso-font-alt:"Times New Roman"; mso-font-charset:0; mso-generic-font-family:auto; mso-font-pitch:variable; mso-font-signature:0 0 0 0 0 0;} /* Style Definitions */ p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal {mso-style-parent:""; margin:0cm; margin-bottom:.0001pt; mso-pagination:widow-orphan; font-size:12.0pt; font-family:"Times New Roman"; mso-fareast-font-family:"Times New Roman"; mso-ansi-language:ES; mso-fareast-language:ES;} p.MsoBodyText, li.MsoBodyText, div.MsoBodyText {mso-style-link:" Car"; margin-top:0cm; margin-right:0cm; margin-bottom:6.0pt; margin-left:0cm; mso-pagination:none; mso-hyphenate:none; font-size:12.0pt; font-family:"Times New Roman"; mso-fareast-font-family:"Bitstream Vera Sans"; mso-font-kerning:.5pt; mso-ansi-language:ES-TRAD; mso-fareast-language:ES;} span.Car {mso-style-name:" Car"; mso-style-link:"Texto independiente"; mso-ansi-font-size:12.0pt; mso-bidi-font-size:12.0pt; font-family:"Bitstream Vera Sans"; mso-fareast-font-family:"Bitstream Vera Sans"; mso-font-kerning:.5pt; mso-ansi-language:ES-TRAD; mso-fareast-language:ES; mso-bidi-language:AR-SA;} @page Section1 {size:595.3pt 841.9pt; margin:70.85pt 3.0cm 70.85pt 3.0cm; mso-header-margin:35.4pt; mso-footer-margin:35.4pt; mso-paper-source:0;} div.Section1 {page:Section1;} -->   Los materiales ferromagnéticos integrados a semiconductores están siendo intensamente estudiados debido a sus potenciales aplicaciones en electrónica de espín (también llamada espintrónica o magnetoelectrónica). El MnAs crecido epitaxialmente sobre el sustrato semiconductor GaAs cumple con la propiedad de ser  ferromagnético a temperatura ambiente, pero además, en la interfase MnAs/GaAs hay unión química sin haber otras fases o productos de reacciones químicas entre estos compuestos. Esto significa que el MnAs es integrable al GaAs y que en una juntura MnAs/GaAs no hay formación de fases que alteren en el tiempo las propiedades magnéticas, de transporte y por consiguiente, la funcionalidad de un dispositivo. Sin embargo, al momento de pensar en aplicaciones computacionales se plantea el desafío de reducir los tamaños de los dispositivos, para lo cual es imprescindible adecuar procesos de micro y nanofabricación. Una vez confinado el material es necesario examinar como la reducción de tamaños e interfases afectan sus propiedades físicas. Este trabajo está focalizado en la optimización del proceso de micro y nanoestructuración de cintas de MnAs. Se presentan igualmente resultados sobre la  caracterización del material, antes y después del confinamiento.  La fabricación de las cintas se realizó combinando litografía  óptica con grabado iónico.  La caracterización de las nanoestructuras se realizó a nivel topográfico con un microscopio de fuerza atómica (AFM). El estudio de las propiedades magnéticas del material se basa en mediciones de curvas de magnetización en función de campo magnético y temperatura, complementadas con imágenes de microscopia de fuerza magnética para analizar la configuración de dominios magnéticos.