Efecto del dopado con Ti en la estructura electrónica del VSbO4. Caracterización teórica

B. IRIGOYEN, S. LARRONDO, A. JUAN, N. AMADEO

Porlamar, Isla Margarita, Venuezuela

Simposio; XVIII Simposio Iberoamericano de Catálisis; 2002

Sociedad Venezolana de Catálsiis

La estructura electrónica del VSbO4, muy similar a otras de sólidos con estructura rutilo, muestra la contribución de orbitales 3d en el nivel de Fermi (EF). En los sólidos dopados con titanio aparece un pequeño pico correspondientes a orbitales desocupados Ti4s, justo por encima de EF. El análisis de la población electrónica muestra que el dopado con Ti provoca cambio en los estados de oxidación del vanadio. El reemplazo de parte del Sb provoca la oxidación del cation V, obteniéndose un par redos V3+/V4+ de mayor potencial reductor que el del elemento que inserta oxígeno. Esto promueve la rápida reoxidación de los sitios activos manteniendo la actividad del catalizador. Para los cálculos de estructura electrónica se emplea el programa YAEHMOP.