Estudio DFT de adsorción de Litio cargado sobre siliceno pristino y con defectos

JUAN, J.; BECHTHOLD, P.; JIMÉNEZ, M. J.; GAZTAÑAGA, F.; BRIZUELA, G. P.; JASEN, P. V.; FACCIO, R.; GONZÁLEZ, E. A.

La Plata

Congreso; XXII Congreso Argentino de Catálisis; 2022

Sociedad Argentina de Catálisis

Mediante cálculos de primeros principios hemos investigado la adsorción de Li0, Li+1 y Li-1 sobresiliceno pristino y con defectos (vacancia simple, SV; divacancia, DV). Analizamos los cambios en la estructura electrónica, el comportamiento de la capacitancia cuántica (QC) versus potencial local y la densidad de carga versus potencial local para dichos sistemas. Los resultados obtenidos muestran que la implementación de defectos produce una mejora de la densidad de carga en la zona de voltaje positivo y un aumento de la QC del siliceno en valores positivos debido a la presencia de orbitales Si 3p en zonas de defecto. Por otra parte, el dopado también produce una mejora en las QC y en las densidades decarga. En cuanto a la estructura electrónica, la introducción de la vacancia simple actúa sobre la estructura electrónica del siliceno como un dopado tipo p. En los sistemas con defectos hay un aumento de estados alrededor del nivel de Fermi, siendo el más importante el en caso con SV. Después de la adsorción de Li0 o Li+1 se observan corrimientos del nivel de Fermi para las tres configuraciones.