Efectos de un Campo Magnético Intenso en la Densidad de Carga Electrónica en Moléculas Planas y Fulereno.

G. I. PAGOLA; M. C. CAPUTO; M. B. FERRARO; P.LAZZERETTI

La Plata, Provincia de Buenos Aires, Argentina

Congreso; 90º Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2005

En este trabajo se han estudiado los efectos debidos a la presencia de  un campo magnético externo uniforme  B sobre la densidad de carga electrónica r(r) en moléculas planas y fulereno. Empleando el formalismo de Hartree-Fock acoplado para capa cerrada (implementado en la serie de programas SYSMO), la densidad electrónica r(r,B) se expande   perturbativamente en el campo magnético  B. En este desarrollo el término de segundo orden es la primera corrección no nula a r(r,B). En particular se han implementado mapas de la  densidad  a segundo orden en el campo, rBB, diferenciando las contribuciones tipo s de las p. Se analiza el peso de estas contribuciones a la primera corrección al tensor susceptibilidad (hipersusceptibilidad) magnética para las moléculas de benceno y  naftaleno. Adicionalmente se presenta un estudio similar pero separando las contribuciones a la densidad rBB por grupos de simetría para el fulerno (C60).