CARACTERIZACIÓN ESTRUCTURAL Y ELECTRÓNICA DE DERIVADOS DE FLUORENO

PIOTTO, A. T.; SPANEVELLO, R. A.; AVALOS, M. C.; BOLMARO, R. E.; PIS DIEZ, R. ; PUNTE, G. M.; ECHEVERRÍA G. A.

Mar del Plata

Encuentro; X Reunión Anual de la Asociación Argentina de Cristalografía; 2014

Asociación Argentina de Cristalografía

Dentro del campo de la ingeniería de materiales, el estudio de laspropiedades cristalinas y electrónicas de diversos derivados de Fluoreno,cuando éstos se organizan en polímeros, oligómeros o fragmentos pequeños,presenta gran interés en optoelectrónica [1,2] por sus potenciales propiedadessemiconductoras y electroluminiscentes [3]. Derivados funcionalizados en laposición C9 [4] del Fluoreno (1),tal como el compuesto 9-(4-feniletinil-benciliden)-fluoreno (2),(Figura 1) con sustituyentes que poseen electrones altamente delocalizados yque presentan particular interés por su capacidad de modificar las propiedadeselectrónicas de la molécula base (Fluoreno). En el presente trabajo se estudianlas estructuras cristalinas y propiedades electrónicas de 1 y 2 empleando Difracción de Rayos X enmonocristales (DRX), Espectroscopia de Absorción Molecular de UV-Visible(UV-Vis) en solución de acetonitrilo ycálculos ab initio. Los sistemas 1 y 2 cristalizan en losgrupos espaciales ortorrómbicos Pnma con una molécula independiente y Pna21con dos moléculas independientes en la celda unidad, respectivamente. Elanálisis del empaquetamiento molecular mostró que en ambos sistemas laestructura cristalina 3D se estabiliza principalmente por medio de contactosintermoleculares del tipo C-H···p formando capas. Los cálculos teóricos del UV-Vis fueronrealizados utilizando DFT con el funcional PBE0 [5] para ambos compuestos. A partir de los resultados dela estructura electrónica predicha por el cálculo la banda más intensa de 2,en el intervalo de longitudes de onda 330-470 nm, puede atribuirse atransiciones π-π*. La concordancia entre valores experimentales y teóricos resultó la adecuadapara las bandas de absorción observadas a 200-300 nm, en contraste con la menorconcordancia observada en la banda de mayor intensidad de 2. La  correlación entre las bandas de absorciónobservadas y las posibles transiciones electrónicas asociadas a las mismas esdiscutida.