Estudio teórico de la adsorción de hidrógeno sobre la superficie B-Ga2O3(100)

E. A. GONZALEZ; P. V. JASEN; C. LUNA; G. BRIZUELA; A. JUAN

Merlo

Congreso; 91 Reunión AFA 2006; 2006

Universidad Nacional de San luis

Hemos modelado la superficie (100) de la fase beta del óxido de Galio (Ga2O3) optimizada por medio de cálculos ab-initio. La geometría de absorción de un átomo de hidrógeno sobre dicha superficie ha sido determinada por medio de métodos químico-cuánticos semi-empiricos.El H ha sido localizado en un sitio tetraédricos de átomos de Ga, no detectándose enlaces con los oxígenos de la superficie.Como una consecuencia del enlace Ga-H, la población de solapamiento orbital Ga-O disminuye. Este resultado concuerda con recientes determinaciones de espectroscopia de frecuencias IR de Ga-H sobre superficies catalíticas.Se reportan también la composición del enlace Ga-H y la densidad de estados de los galios tetra y octaédricos, Ga(I) y Ga(II), junto con la delos tres tipos de oxígenos antes y después de la adsorción de hidrógeno.