INVESTIGADORES
ARDENGHI Juan Sebastian
congresos y reuniones científicas
Título:
Transporte balístico de electrones en junturas de grafeno dopado/ grafeno prístino
Autor/es:
P. BECHTHOLD; J. S. ARDENGHI; P. JASEN; E. GONZÁLEZ; A. JUAN; O. NAGEL
Lugar:
Tandil
Reunión:
Congreso; 99ª Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2014
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
En este resumen se muestra el transporte balístico de electrones sobre un capa de grafeno con impurezas en posiciones aleatorias, colocada entre dos monocapas de grafeno prístino. Se muestra que el coeficiente de transmisión de los electrones depende fuertemente de la concentración de impurezas y de la energía incidente. Se calcula la conductancia en función del voltaje aplicado para diferentes concentraciones de impurezas a traves del formalismo de Landauer encontrandose resultados similares a otros trabajos experimentales. En el límite de voltaje aplicado nulo se encuentra un valor mínimo de conductancia que se hace cero para un alto numero de concentración de impurezas, que a su vez desentrelaza los grados de libertad de las subredes de la estructuracristalina del grafeno. Los resultados encontrados pueden contribuir a la exploración de los mecanismos de efecto tunel para los electrones a traves de junturas de grafeno dopado y grafeno prístino.
