Cristalización inducida por níquel de silicio amorfo

J. A. SCHMIDT; P. A. RINALDI; N. BUDINI; R. D. ARCE; R. H. BUITRAGO

Santiago de Chile, Chile

Congreso; 8vo. Congreso Nacional de Metalurgia y Materiales - CONAMET-SAM 2008; 2008

El silicio policristalino (pc-Si) depositado sobre sustratos de vidrio es un material muy promisorio para la fabricación de distintos dispositivos electrónicos, como transistores de película delgada, matrices activas o celdas solares. La cristalización del silicio amorfo para obtener pc-Si puede lograrse por diferentes procesos, entre los cuales se destaca la cristalización inducida por níquel porque requiere bajas concentraciones del metal y bajas temperaturas de recocido. La nucleación y el crecimiento del silicio cristalino están mediados por la formación del siliciuro NiSi2, el cual tiene una constante de red muy similar a la del Si, y actúa como una semilla a partir de la cual se desarrollan los granos cristalinos. El tamaño de grano final del pc-Si depende de muchos factores, como la concentración inicial de Ni, la temperatura y tiempo de recocido, y la presencia de otros átomos en la estructura del Si. En este trabajo estudiamos la influencia de estos parámetros sobre el proceso de cristalización del silicio inducido por el Ni.