Caracterización estructural de ZnO dopado con Yb sintetizado por vía química húmeda.

EUGENIO OTAL; ELSA SILEO; MYRIAM AGUIRRE; ISMAEL FÁBREGAS; MANUELA KIM

Carlos Paz

Seminario; XIV Latin American Seminar of Analysis by X-Ray Techniques; 2014

El óxido de Zinc (ZnO) dopado con lantánidos es un material interesante tanto para aplicaciones ópticas como eléctricas. El ancho de banda prohibida de este semiconductor hace que sea transparente en el rango visible (Egap = 3.2eV), permitiendo una emisión angosta (ancho <1nm) debido a la poca influencia del campo cristalino sobre los electrones f en transiciones intra-capa. Desde la parte eléctrica, ZnO es un material ampliamente utilizado en varistores y sus propiedades eléctricas pueden ser ampliamente variadas mediante la inclusión de lantánidos. Estas propiedades se encuentran influenciadas por la ubicación de los lantánidos: sustitución, sitio de inclusión en la red cristalina, segregación en los bordes de grano, etc.Muestras de ZnO dopado con Yb, obtenidas por vía química húmeda fueron tratadas térmicamente a diferentes temperaturas y caracterizadas por Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM), Difracción de Rayos X (DRX), refinamiento Rietveld de los datos de DRX, y Absorción de rayos X (XAS). El uso de estas técnicas permitió seguir los cambios tanto en la matriz de ZnO como en el entorno del Yb. El uso de la transformada wavelet continua de Cauchy permitió la identificación de una segunda capa de coordinación compuesta por átomos de Zn, en apoyo a las observaciones de DRX, refinamiento de Rietveld y XAS. La información obtenida confirmo la inclusión de Yb en sitios Oh de la estructura wurtzita sin segregación de Yb2O3 en la red cristalina.