Aplicación de películas antirreflectantes en celdas solares de Si y semiconductores III-V

M. KYCHENTHAL; J. SUCARI DE ABREU; S. SAINT-ANDRÉ; M. BARRERA

Santa Fe

Congreso; 104a Reunión Anual de la Asociación de Física Argentina; 2019

Las celdas solares pueden distinguirse entre dos tipos de estructuras, las monojunturas basadas en una sola juntura y las multijunturas que pueden tener dos o más junturas. Entre las celdas monojunturas podemos mencionar a las de Si, GaAs o Ge. La principal ventaja de las celdas multijunturas es su alta eficiencia, ya que para su elaboración se utilizan materiales con distinto band gap (Eg) de modo que cada uno absorbe una porción diferente del espectro solar.Una forma de contribuir al aumento de la eficiencia de la celda es disminuir la reflectividad de la cara frontal, maximizando la fracción de energía absorbida. Una de las maneras de lograr esto es mediante el uso de multicapas antirreflectantes dieléctricas (AR). Las propiedades AR de las multicapas dieléctricas se basan en el fenómeno óptico de interferencia. Se pueden citar como ejemplo de materiales que se utilizan para su fabricación al TiO2, Al2O3 y ZnS. En nuestro trabajo se presentan los avances realizados sobre la elaboración y caracterización de celdas solares basadas en silicio y semiconductores III-V. Para la elaboración de la grilla de contactos frontal se emplearon los métodos de fotolitografía y evaporación térrmica de metales. Para disminuir la reflectividad de la cara anterior y en consecuencia aumentar la corriente de cortocircuito del dispositivo (Jsc), se depositaron y estudiaron películas antirreflectantes dieléctricas como el ZnS, se midió la reflectividad de la cara frontal y los parámetros eléctricos se compararon con los de las celdas convencionales.