INVESTIGADORES
ANDRINI Leandro Ruben
congresos y reuniones científicas
Título:
Técnicas de absorción de rayos X. Potencialidades para la caracterización de materiales de interés cerámico
Autor/es:
L. ANDRINI; N.M. RENDTORFF
Lugar:
CABA
Reunión:
Jornada; 1° Jornada Nacional de Investigadores en Cerámica; 2015
Institución organizadora:
ATAC-Asociación Técnica Argentina de Cerámica
Resumen:
Desde los trabajos pioneros de D.E. Sayers, E.A.Stern, y F.W. Lytle [1], conjuntamente con los desarrollos tecnológicos quepermiten construcción de sofisticadas fuentes de luz sincrotrón, las técnicasde caracterización espectroscópica por absorción de rayos X (XAS, X-rayAbsorption Spectroscopy) han tenido un sostenido crecimiento en su aplicaciónpara el estudio de diferentes sistemas y estados de la materia.Las técnicas XAS se dividen, de acuerdo al rango deenergía utilizado para la caracterización del sistema bajo estudio, en XANES(X-ray Absorption Near Edge Structure) y EXAFS (Extended X-ray Absorption FineStructure). Ambas técnicas son complementarias entre sí y de otras técnicas decaracterización tales como difracción de rayos X, resonancia magnética nuclear,resonancia de spín. La selectividad química constituye la particularidad quelas hace aplicables como sonda local al átomo absorbente, pudiendo sintonizarsela energía de absorción por elemento que integra un dado sistema. De estamanera, XANES proporciona información estructural y electrónica del sistema, entanto EXAFS proporciona información sólo estructural.En esta charla mostraremos las potencialidades deXANES para caracterizar, por ejemplo, la estructura local de los átomos dealuminio en sistemas de aluminosilicatos en los cuales los átomos de esteelemento pueden ocupar sitios tetraédricos u octaédricos, para sistemas ordenadosy amorfos. También mostraremos las potencialidades conjuntas de XANES+EXAFSpara caracterizar sistemas de óxidos de Co. Sobre esta base discutiremos laaplicabilidad de estas técnicas para la caracterización de sistemas nineralógicos,geológicos y de interés tecnológico general.  1. D.E. Sayers et al., Phys. Rev.Lett. 27 (1971) 1204. F.W. Lyttle et al., Phys. Rev. B 11(1975) 4825. E.AStern et al., Phys. Rev. B 11(1975) 4836. F.W. Lyttle et al., Phys. Rev. B 11 (1975) 4825. Lyttle et al., Phys.Rev. B 15 (1977) 2426, entre otros.