Estudio teórico de la adsorción de hidrógeno sobre la superficie beta-Ga2O3(100)

GONZALEZ, ESTELA; JASEN, PAULA; LUNA, CARLA; BRIZUELA, GRACIELA; JUAN, ALFREDO

Merlo, San Luis

Congreso; 91 Reunión Anual Asociación de Física Argentina; 2006

Hemos modelado la superficie (100) de la fase β del óxido de galio (Ga2O3) optimizada por medio de cálculos ab-initio. La geometría de adsorción de un átomo de hidrógeno sobre dicha superficie ha sido determinada por medio de métodos químico-cuánticos semi-empíricos.El H ha sido localizado en un sitio tetraédrico de átomos de Ga, no detectándose enlaces con los oxígenos de la superficie. Como una consecuencia del enlace Ga-H, la población de solapamiento orbital Ga-O disminuye. Este resultado concuerda con recientes determinaciones de espectroscopía de frecuencia IR de Ga-H en superficies catalíticas. Se reportan también la composición del enlace Ga-H y la desnidad de estados de los galios tetra- y octaédricos, Ga(I) y Ga(II), junto con la de los tres tipos de oxígenos antes y después de la adsorción del hidrógeno.