Respuesta Espectroelectroquímica de Capas Compactas de ZnO

VAZQUEZ, CECILIA IRENE; BARUZZI, ANA MARÍA; IGLESIAS, RODRIGO ALEJANDRO

San Miguel de Tucumán,Tucumán, Argentina

Congreso; XXI Congreso Argentino de Físicoquimica y Química Inorgánica; 2019

AAIFQ

Introducción: En los últimos años, se ha generado un gran interés en el desarrollo y optimización de materiales híbridos semiconductores para su aplicación en la fabricación diversos dispositivos optoelectrónicos, tales como celdas solares, diodos emisores de luz, fotodetectores, etc. En particular, el ZnO es un material muy interesante para estos fines, ya que es un semiconductor directo con dopado natural tipo-n (posee un bang gap de 3,37eV) y es biológicamente compatible, por lo que su uso no genera residuos altamente tóxicos para el medio ambiente.El objetivo de este trabajo es el estudio de las propiedades ópticas del ZnO y cómo varían con el potencial aplicado.Resultados: Se realizó la electrodeposición galvanostática de ZnO sobre ITO mediante diferentes programas de pulsos múltiples de corriente a partir de soluciones de Zn(NO3)2 0,1M a 70ºC. A su vez se caracterizó el sistema mediante microscopía electrónica de barrido y se estudió su respuesta espectroelectroquímica, es decir, cómo cambia el espectro de absorbancia del ZnO a diferentes potenciales catódicos.Conclusiones: La morfología del ZnO cambia dependiendo de la densidad de corriente de deposición utilizada. Por otra parte, en la respuesta espectroelectroquímica, fue posible observar el fenómeno de Burstein-Moss y que la magnitud del cambio de absorbancia depende de las condiciones de síntesis del ZnO y del potencial aplicado.