Formación electroquímica de nanoestructuras metálicas sobre sustratos metálicos y semiconductores

C. I. VÁZQUEZ; M. B. QUIROGA ARGAÑARAZ; G. I. LACCONI

La Plata, Buenos Aires, Argentina

Jornada; Reunión científica: 1948-2008: 60 ANIVERSARIO DE ACTIVIDADES EN EL CAMPO DE LA FISICOQUÍMICA EN EL INIFTA, ?Fronteras en Fisicoquímica. Un enfoque interdisciplinario?; 2008

INIFTA

La formación de estructuras metálicas en nano-dimensiones, soportadas sobre sustratos metálicos y semiconductores, es actualmente un área emergente de alto interés en la nanotecnología. La formación de las nanoestructuras metálicas y bi-metálicas mediante métodos electroquímicos, constituye una estrategia importante en el desarrollo de nuevas alternativas de síntesis que permitan adquirir un preciso control del proceso [1-5]. La presente comunicación consiste en el estudio de las primeras etapas de la electrocristalización de estructuras de Ag y Cu sobre superficies cristalinas de HOPG y Si(111), en presencia de compuestos orgánicos. Ambos sustratos presentan superficies de baja energía (débil interacción entre partículas metálicas y superficies), se promueve un mecanismo de crecimiento de islas 3D de tipo Volmer-Weber. La morfología y distribución de partículas así como también, el mecanismo de nucleación y crecimiento de las cristalitas de Ag sobre HOPG son modificados por la presencia de ácido picolínico. La adsorción de las moléculas de aditivo y la formación de especies complejas con Ag+ producen la inhibición de la deposición. La obtención de nanopartículas o nanoalambres de Ag en forma selectiva requiere de la aplicación de pulsos de potencial complejos, tal que se produzca un efecto combinado entre las condiciones de nucleación y la velocidad de crecimiento, en los sitios de bordes de escalones o sobre las terrazas libres de defectos del sustrato. Por otra parte, la formación de partículas de Cu sobre sustratos hidrogenados de n-Si(111) depende de la concentración de tiourea en solución. La adsorción de las moléculas de tiourea sobre la superficie del semiconductor produce un desplazamiento del potencial de deposición de Cu. Las partículas de Cu formadas bajo diferentes condiciones experimentales varían en tamaño, distribución y forma.