Fotoluminiscencia y Actividad Speckle en capas delgadas semiconductoras para optoelectronica

L. E. MORINGO; D. RICHARD; P. VAVELIUK; M. R. TEJERINA

Congreso; 106° Reunión de la Asociación Física Argentina; 2021

Asociación Física Argentina

El ZnO y el NiO son semiconductores del grupo II-VI tipo-n y del grupo VII-VI tipo-p, respectivamente. Am-bos semiconductores tienen un elevado gap optico. Los recubrimientos de oxido de zinc dopados o en aleacioncon metales de transicion tiene multiples aplicaciones como piezoelectricos, transductores, guas de onda opticas,electrodos transparentes, celdas solares y diodos [1,2]. En este trabajo presentamos una caracterizacion de re-cubrimientos ZnO/NiO fabricados por sol-gel spray-pyrolysis. Esta tecnica consiste en pulverizar una solucion quecontiene el ion base sobre un sustrato que se mantiene a elevada temperatura. Si bien el proceso posee algunasdicultades intrnsecas para lograr recubrimientos de baja porosidad (menor al 5 por ciento) por la formacion degotas, el mismo es de especial interes ya que permite escalar el proceso a grandes areas (mayores a 30 cmxcm)y a bajo costo debido a la simplicidad del montaje y a que puede operar a presion atmosferica. Se obtuvieroncapas de considerable porosidad y se correlaciono la actividad speckle con su espesor para distintas composiciones,Ademas, se caracterizaron empleando las tecnicas Difraccion de Rayos X, fotoluminiscencia y Transmitancia.Referencias[1] Herissi, L., L. Hadjeris, M.S. Aida, S. Azizi, A. Hafdallah, A. Ferdi, Nano Hybrids and Composites 2019,27, 21-29.[2] Brinker, C. F., Hurd A., J. Phys. III 1994, 4, 1231-1242.