Efectos de banda en la transferencia de carga en la interacción He/Si(100)

I. VAQUILA; F. C. ALVIRA; C. SLUTZKY; J. FERRÓN

San Carlos de Bariloche

Congreso; 88a Reunión Asociación Física Argentina;; 2003

Utilizando la técnica de tiempo de vuelo en espectroscopia de iones lentos (LEIS TOF), hemos medido la fracción de carga de He+ dispersado por los dominios 2x1 de una superficie de Si (100). Utilizando simulaciones de MonteCarlo (SARIC/Marlowe) podemos determinar las condiciones de maximización de la contribución superficial. Los experimentos son realizados en una cámara de ultra alto vacío, con un tubo de vuelo de 1,45m de longitud y un ángulo de dispersión de 45o. Presentamos resultados en función de la energía del He+ ( 2 - 8keV ) y del ángulo de incidencia entre ( 5 - 35o ). La variación en la densidad de estados superficiales (DOS) la producimos de dos formas, i) a través de la adsorción de hidrógeno, lo que produce la eliminación de los estados superficiales debidos a los orbitales no apareados (dangling bonds) y ii) a través de la amorfización de la superficie lo que produce un efecto inverso, incremento de los estados superficiales, debido a la introducción de defectos. Discutimos estos efectos en relación al estado de carga de los  iones/átomos reflejados.