Comportamiento de óxidos anódicos formados sobre Al y Al modificado con Ni y Mo depositados por PVD.

L.A. MEIER; J.B. BESSONE

Termas de Río Hondo, Santiago del Estero, Argentina.

Congreso; XIV Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica.; 2005

Asociación Argentina de Investigación Fisicoquímica

Con el objeto de mejorar el comportamiento pasivo del Al, se realizaron estudios comparativos entre óxidos crecidos galvanostática y potenciodinámicamente hasta 10 V en solución buffer neutra deAcetato de Na, sobre Al puro (99,99%) y Al puro con Ni, Mo y Ni-Mo depositado en alto vacío. Se caracterizó el comportamiento dieléctrico de estos óxidos anódicos mediante espectroscopia de impedancia electroquímica aplicada a un potencial de 0 V. Se realizaron estudios voltamétricos para determinar la estabilidad del film anódico formado. Se aplicaron distintas velocidades de barrido y distintos límites anódicos. Estos estudios fueron complementados con transientes galvanostáticos. Se comparó también con estas técnicas,  la estabilidad del óxido frente a medios con creciente cantidad de aniones agresivos (1, 10, 100 y 1000 ppm Cl-). Se analizó el potencial de ruptura en función del método de crecimiento utilizado (potenciodinámico cíclico vs. galvanostático), el límite anódico alcanzado y el tipo de film logrado por crecimiento en un medio con o sin aniones agresores presentes. Los resultados de impedancia y las observaciones por TEM, sugieren la formación de un doble film barrera (uno interno rico en Al seguido por otro rico en Mo) y un mecanismo de adsorción y penetración del Cl-.