Cambios en la conductividad de semiconductores producto de las fluctuaciones en las barreras Schottky y su consecuencia en los sensores de gases.

DESIMONE, P.M.; MIRABELLA, D.A.; BUONO, C.; ALDAO, C.M.

Córdoba

Congreso; TREFEMAC 2021; 2021

Las barreras potenciales en las interfaces de los semiconductores presentan fluctuaciones debido alcarácter puntual y a la naturaleza aleatoria de las cargas eléctricas en las regiones de agotamiento,que afectan directamente la conductividad eléctrica. En este trabajo, nos enfocamos en estudiar lasfluctuaciones espaciales en la altura de las barreras dobles de Schottky que se forman en las superficies intergranulares de varios semiconductores compuestos policristalinos, tales como el óxido de estaño. Calculamos la influencia de las fluctuaciones en la conductividad en función de la presión de oxı́geno. Basados en los resultados encontrados, determinamos la cobertura de adsorbato debido a la exposición a diferentes presiones de oxı́geno. Analizamos las consecuencias sobre la respuesta ya conocida de la ley de potencia para los sensores de gases.