Estudio DFT de defectos cargados en MgH2

F. GAZTAÑAGA; J. JUAN; C. R. LUNA; P. BECHTHOLD; E. GONZALEZ ; P. JASEN

San MIguel de Tucumán

Congreso; 101 Reunión AFA 2016; 2016

<!-- /* Font Definitions */@font-face{font-family:"ＭＳ 明朝";mso-font-charset:78;mso-generic-font-family:auto;mso-font-pitch:variable;mso-font-signature:-536870145 1791491579 18 0 131231 0;}@font-face{font-family:"Cambria Math";panose-1:2 4 5 3 5 4 6 3 2 4;mso-font-charset:0;mso-generic-font-family:auto;mso-font-pitch:variable;mso-font-signature:-536870145 1107305727 0 0 415 0;}@font-face{font-family:Cambria;panose-1:2 4 5 3 5 4 6 3 2 4;mso-font-charset:0;mso-generic-font-family:auto;mso-font-pitch:variable;mso-font-signature:-536870145 1073743103 0 0 415 0;} /* Style Definitions */p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal{mso-style-unhide:no;mso-style-qformat:yes;mso-style-parent:"";margin:0cm;margin-bottom:.0001pt;mso-pagination:widow-orphan;font-size:12.0pt;font-family:Cambria;mso-fareast-font-family:"ＭＳ 明朝";mso-bidi-font-family:"Times New Roman";}.MsoChpDefault{mso-style-type:export-only;mso-default-props:yes;font-size:10.0pt;mso-ansi-font-size:10.0pt;mso-bidi-font-size:10.0pt;font-family:Cambria;mso-ascii-font-family:Cambria;mso-fareast-font-family:"ＭＳ 明朝";mso-hansi-font-family:Cambria;}@page WordSection1{size:612.0pt 792.0pt;margin:72.0pt 90.0pt 72.0pt 90.0pt;mso-header-margin:36.0pt;mso-footer-margin:36.0pt;mso-paper-source:0;}div.WordSection1{page:WordSection1;}-->El hidruro de magnesio (MgH2)es un buen candidato para almacenamiento de hidrogeno debido a - entre otraspropiedades - su bajo costo, disponibilidad y no toxicidad. Sin embargo laenergía de activación de la desorción cinética de hidrogeno de este hidruro esrelativamente alta. Una alternativa a este inconveniente es la introducción demetales de transición o vacancias. El objetivo de este trabajo es estudiar loscambios en la propiedades químicas y físicas del hidruro cuando se introducen defectoscargados. En particular consideraremos vacancia de hidrogeno (VH),vacancia de Magnesio (VMg) y la di vacancia (VH-Mg). Paracada clase de vacancia se tuvieron en cuenta tres posibles estados de carga (q= -1, 0 y +1). Los resultados muestran que la formación de VH es lamas estable. La reducción mas importante en el ?bandgap? se da para la VHcon carga negativa y neutra (68.8% y 65.4% respectivamente). Para todos loscasos en estudio los cambios mas importantes en la densidad de estados (DOS) sedan en la zona del ?bandgap?. Además para algunos de los casos la generacióndel defecto induce un momento magnético, siendo el mas importante el de lavacancia de magnesio positiva (0.74 mB). En general este hidruroes un semiconductor tipo p, pero en el caso de vacancia de H cargada negativala aparición de estados trampa en la zona del ?bandgap? lo transforma en tipon. Finalmente, de nuestros resultados se puede concluir que la introducción dedefectos cargados al MgH2 mejora la disociación de H y conduce apropiedades electrónica muy interesantes desde el punto de vista tecnológico.