INVESTIGADORES
LOPEZ CORRAL Ignacio
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio teórico de adsorción de ciclopenteno (c-C5H8) sobre Si(001) y sobre vacancias de dímeros de la superficie de Si(001)
Autor/es:
ESTEFANÍA GERMÁN; IGNACIO LÓPEZ CORRAL; ALFREDO JUAN; GRACIELA BRIZUELA
Lugar:
Cón-Cón
Reunión:
Congreso; XXII Congreso Iberoamericano de Catálisis; 2010
Institución organizadora:
FISOCat, SOCHIQUI
Resumen:
En este estudio se analizó la geometría y las interacciones químicas al adsorberse c-C5H8 sobre una superficie semiconductora: Si(001), por medio de cálculos de teoría del funcional de la densidad (DFT). Se estudiaron los cambios en las interacciones atómicas y orbitales del sistema. Se consideraron dos casos, la adsorción de ciclopenteno sobre una superficie limpia de Si(001) y sobre dímeros de la superficie. Las distancias promedios calculadas de los enlaces H-Si, -C-Si y =C-Si fueron de 1.59 Å, 1.83 Å y 1.57 Å respectivamente sobre vacancias de dímeros; y la distancia promedio del enlace =C-Si sobre dímeros Si-Si 1.65 Å. También se estudió la densidad de estados (DOS) y las curvas de población de solapamiento (OPDOS) para los enlaces C-C, C-Si, C-H y Si-Si. La contribución principal que da lugar a la adsorción en ambos casos es el doble enlace C=C y los átomos H de estos enlaces. La contribución orbital incluye la participación de los orbitales 2px, 2py y 2pz de los átomos de C, y de los orbitales 3px, 3py y 3pz de los átomos de Si.
