Análisis mediante impedancia compleja de películas delgadas base Te

ROCCA, J.; RODRIGUEZ, D.; MARIA ANDREA UREÑA; SGROMO, C.; NOGUERA CARLOS,B.; PERILLO, P.; MERCADO, D.; GARCIA,C.; FONTANA, M.

Bahia Blanca

Congreso; 108° RAFA Reunión Anual de Física 2023; 2023

Las películas delgadas de vidrios calcogenuros han sido identificadas como materiales prometedores en diversas aplicaciones tecnológicas. En particular, los sistemas compuestos por teluro como calcogeno, con comportamiento semiconductor, han mostrado propiedades que les permiten ser aplicados en sensores de gases y memorias de cambio de fase. Para su aplicación a sensores de gases, se requiere determinar la variación de la conductividad eléctrica en función de la concentración de los gases que se desean detectar.En el caso de las memorias de cambio de fase, la propiedad relevante es el cambio de la conductividad eléctrica que acompaña a un cambio estructural. En consecuencia, una buena caracterización eléctrica del material sensible en que se base un potencial dispositivo electrónico es vital en cualesquiera de dichas aplicaciones.En trabajos previos hemos caracterizado la conductividad en función de la temperatura y la respuesta I-V a partir del estímulo con barridos de tensión o corriente, para algunas composiciones de los sistemas Ge-Te y Sb-Te. En este trabajo, se fabricaron muestras de películas delgadas de dichos sistemas por la técnica de deposición por ablación laser (Pulsed Laser Deposition, PLD). Sobre las mismas se realizaron mediciones de impedancia compleja usando un analizador de impedancia (Solartron 1260) en el rango de frecuencias de 1 Hz a 1 MHz. Los resultados obtenidos se analizaron con el diagrama de Nyquist de impedancia compleja y se ajustaron a los modelos de circuito equivalente que explican el comportamiento eléctrico de películas de las composiciones estudiadas en ambos sistemas, Ge-Te y Sb-Te.