Estudio de la respuesta I-V en celdas de memoria de Sb70Te30

J. A. ROCCA; GOLMAR, F.; MARIA ANDREA UREÑA; FONTANA, M.

Bahia Blanca

Congreso; 108° RAFA Reunión Anual de Física 2023; 2023

Los vidrios calcogenuros dentro del grupo de los materiales de cambio de fase (phase change materials) que, mediante estímulos eléctricos, pueden ciclar entre dos estados estructurales amorfo y cristalino biendiferenciados en su conductividad, son promisorios en su aplicación a memorias electrónicas no volátiles. Suponiendo que los mecanismos de cambio de fase dependen de la energía por unidad de volumen quese entrega al material sensible, es deseable construir celdas en escala micrométrica, considerando también que eventualmente podrían integrarse en procesos de fabricación microelectrónica.En trabajos previos, observamos la disminución abrupta de la resistencia de películas delgadas de composición base Sb70Te30 depositadas por ablación láser, al medirla mientras la muestra se somete acalentamientos a bajas velocidades. A partir de resultados de calorimetría diferencial de barrido y de difracción de rayos X sobre muestras obtenidas por igual método, asociamos el cambio en la resistividad conel proceso de cristalización.En este trabajo, construimos dispositivos micrométricos de superficie rectangular con Sb70Te30 como material sensible, depositado sobre electrodos coplanares con separación L (2-16 μm) y ancho W (2-64 μm).Medimos la respuesta en tensión de los dispositivos cuando son excitados por barridos de corriente creciente y, entre barridos consecutivos, medimos la resistencia remanente. En las curvas I-V, identificamosuna transformación desde el estado original a uno de menor resistencia, atribuible a la cristalización. Para estimar la conductividad del material en esta transformación y tener en cuenta los efectos de bordedebidos a la geometría de los dispositivos, los mismos fueron simulados por el Método de los Elementos Finitos. En estas simulaciones, para cada geometría se varió el valor de la conductividad eléctrica hastaajustar los valores de tensión y corriente con los datos experimentales.