Fotorrespuesta de materiales calcogenuros a la iluminación UV

RODRIGUEZ, D.; STRUSIAT, P.; ROCCA, J.; CONDE GARRIDO, J.; UREÑA, M.A.; FONTANA, M.

Bariloche

Congreso; 107º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2022

Investigamos la fotoconductividad UV y la respuesta transitoria de materiales calcogenuros Te80Ge20 y Te50Se50.Para la fabricación del sensor, se utilizó como sustrato una oblea de Si (100) tipo p con una capa de SiO2 de 300 nm. Usando procedimientos de microfabricación convencionales, se fabricó un electrodo de oro interdigitado mediante evaporación catódica de aproximadamente 250 nm de espesor sobre el sustrato. Mediante la técnica de deposición por ablación láser (PLD), utilizando blancos en volumen de las composiciones Te80Ge20 y Te50Se50Las medidas de detección del sensor se realizaron a temperatura ambiente utilizando iluminación LED de longitud de onda de 395 nm y una potencia de la luz inferior a 1,73 mW/cm2.Las curvas de subida y bajada de la fotocorriente se ajustan bien a una función biexponencial. En ambos casos, la fotocorriente estuvo dominada por una respuesta rápida inicial de aproximadamente 3 s.Los resultados sugieren que los materiales calcogenuros obtenidos a través del método PLD son prometedores para aplicaciones de dispositivos optoelectrónicos.