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En las ultimas dos decadas, las ecuaciones de Kohn-Sham [1] han sido ampliamente aplicados, en conjuntocon la aproximacion de la densidad local (LDA) [2] o la aproximacion de gradiente generalizado (GGA) [3], al estudio de diversos problemas en Materia Condensada y Fısica del estado Solido. La principal raz´on de este auge es que estas aproximaciones (semi)locales tiene un alto poder de prediccion y brindan resultados que son lo suficientemente precisos para interpretar los datos experimentales. Otra ventaja importante de estas funcionales es que son computacionalmente economicas, conducen a los calculos que son computacionalmente baratosen comparacion con metodos mas sofisticados. Sin embargo, la aplicacion de LDA y GGA tambien pueden dar lugar, en funcion de los sistemas y las propiedades a estudiar, a resultados que estan en mal acuerdo con el experimento. Por ejemplo, en general la banda prohibida (gap) de los semiconductores y aisladores, es subestimada o incluso ausente, es decir, se predice un erroneo comportamiento met´alico. En 2010, Tran y Blaha [4] presentaron unamodificacion simple del potencial originalmente propuesto por Becke y Jonson (MBJ, Ref. 5) y demostraron que para un gran numero de compuestos semicondutores y aisladores esta modificacion predice gaps con una precision comparable a la de metodos que son, desde el punto de vista de la cantidad de recursos y tiempo de c alculo, ordenes de magnitud mas costosos. En esta comunicacion vamos a estudiar la aplicacion de la funcional Tran y Blaha, (Ref. 3) a oxidos semiconductores y aisladores. Para esto hemos realizado calculos LDA y MBJ en un conjunto amplio de oxidos con gaps que van del orden de 1 eV hasta los 8 eV. Mostramos que MBJ predice anchos de la banda prohibida (gap) de semiconductores en muy buen acuerdo con los resultados experimentales, subsanandoel problema de la subestimacion del gap en calculos LDA.

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