MECANISMOS DE CONDUCCIÓN EN DISPOSITIVOS DE MEMORIA BASADOS EN INTERFACES METAL-COBALTITA

C. ACHA; A. SCHULMAN; M. BOUDARD

Tucumán

Congreso; Reunión Anual de la Asociación Física Argentina; 2016

AFA

La conmutaci´on resistiva (CR) es el mecanismo que explica la existencia de memoria no vol´atil ligada a laspropiedades memristivas de interfaces metal-´oxido. En este trabajo se presentar´an las propiedades de CR enfunci´on de la temperatura de interfaces de Ag / La1-xSrxCoO3 (LSCoO). El LSCoO estudiado corresponde auna pel´ıcula de 100 nm de espesor crecida mediante la t´ecnica de MOD, totalmente relajada respecto de lastensiones introducidas por el sustrato (LaAlO3), sobre la que se realizaron contactos mediante pintura de Ag,conformando as´ı dispositivos de memoria resistiva o ReRAM. Se fijaron estados de alta y baja resistencia en estosdispositivos a los que se les estudi´o la dependencia en temperatura de sus caracter´ısticas corriente-voltaje (IV).Las dependencias no triviales observadas en las curvas IV pudieron reproducirse mediante un modelo circuital queincluye un elemento de conducci´on del tipo Poole-Frenkel y dos elementos ´ohmicos. Realizamos as´ı una descripci´onmicrosc´opica de los cambios producidos por la CR, lo que permite visualizar a la zona interfacial como a una regi´ondonde se mezclan fases conductoras y aislantes, que a su vez producen contribuciones del tipo Maxwell-Wagneren las propiedades diel´ectricas del dispositivo.