Memoria no volátil por conmutación de la resistencia eléctrica en interfaces metal – óxido

PABLO EDUARDO LEVY

San Miguel de Tucumán

Congreso; SOLIDOS 2011; 2011

Solidos 2011

http://www1.herrera.unt.edu.ar/faceyt/solidos2011/programa/ http://www1.herrera.unt.edu.ar/faceyt/solidos2011/conferencias/#Memoria Memoria no volátil por conmutación de la resistencia eléctrica en interfaces metal – óxido Pablo LevyCAC-CNEA, Argentina Aplicando pulsos eléctricos es posible alterar el valor de la resistencia eléctrica de interfaces óxido – metal. Este efecto es la base de una nueva familia de memorias no volátiles, conocida como “Resistive RAM”. Estudiamos los estados resistivos aplicando diferentes estrategias de pulsado, y utilizando una configuración de multiterminales que permite medir la respuesta de interfaces individuales. A partir de resultados experimentales obtenidos en muestras policristalinas de (LaPr)CaMnO3 y TiO2 con electrodos de plata, discutimos los mecanismos involucrados en términos del desplazamiento de vacancias de oxígeno forzado por el campo eléctrico local