?Funcionalización orgánica de superficies hidrogenadas de Si(111)?

M.B. QUIROGA ARGAÑARAZ; C. I. VÁZQUEZ; G. I. LACCONI

Tandil, Argentina

Congreso; XV Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica.; 2007

Asociación Argentina de Investigación Fisicoquímica

Funcionalización orgánica de superficies hidrogenadas de Si(111) Ma. Bernarda Quiroga Argañaraz, Cecilia I. Vazquez y Gabriela I. Lacconi INFIQC, Departmento deFisicoquímica, Facultad Ciencias Químicas, UNC, Cdad. Universitaria, 5000 Córdoba, Argentina. e-mail: glacconi@mail.fcq.unc.edu.ar La superficie de silicio ha sido estudiada intensivamente durante muchos años  fundamentalmente debido a la importancia que tiene su empleo en la tecnología de la microelectrónica. Aunque en muchos casos la oxidación térmica provee una capa efectiva de pasivación, diferentes clases de películas orgánicas han sido depositadas para la protección química y electrónica o para la modificación de las propiedades del material [1-2]. Las superficies de silicio pueden ser relativamente estables en aire mediante su recubrimiento con hidrógeno, sin embargo, el incremento de su resistencia a la oxidación es posible mediante la formación de las monocapas orgánicas sobre su superficie. Varios autores han propuesto diversos procedimientos químicos [2-3], fotoquímicos [4] y electroquímicos [5] para la preparación de monocapas alquílicas compactas enlazadas covalentemente a la superficie de silicio. El objetivo de este estudio consiste en la obtención y caracterización de superficies hidrogenadas de Si(111) en forma comparativa con las respectivas superficies funcionalizadas con monocapas de moléculas orgánicas de diferente estructura química. La derivatización de la superficie del semiconductor se realiza en presencia de 1- octadeceno o estireno, compuestos que reaccionan eficientemente con el Si(111)-H por calentamiento a temperaturas mayores que 140ºC o bajo exposición a radiación UV (λ = 254 nm). El mecanismo propuesto para la reacción se basa en un proceso radicalario inducido térmica o fotoquímicamente que se inicia en los defectos de la superficie hidrogenada. La caracterización electroquímica de la superficie funcionalizada se realiza mediante voltametría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica, en relación a la capacidad de inhibición de la formación de óxido. En forma comparativa se analiza el grado de cubrimiento, la morfología estructural y las propiedades eléctricas de las películas obtenidas con ambos precursores. El mecanismo propuesto para la reacción se basa en un proceso radicalario inducido térmica o fotoquímicamente que se inicia en los defectos de la superficie hidrogenada. La caracterización electroquímica de la superficie funcionalizada se realiza mediante voltametría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica, en relación a la capacidad de inhibición de la formación de óxido. En forma comparativa se analiza el grado de cubrimiento, la morfología estructural y las propiedades eléctricas de las películas obtenidas con ambos precursores. El mecanismo propuesto para la reacción se basa en un proceso radicalario inducido térmica o fotoquímicamente que se inicia en los defectos de la superficie hidrogenada. La caracterización electroquímica de la superficie funcionalizada se realiza mediante voltametría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica, en relación a la capacidad de inhibición de la formación de óxido. En forma comparativa se analiza el grado de cubrimiento, la morfología estructural y las propiedades eléctricas de las películas obtenidas con ambos precursores. λ = 254 nm). El mecanismo propuesto para la reacción se basa en un proceso radicalario inducido térmica o fotoquímicamente que se inicia en los defectos de la superficie hidrogenada. La caracterización electroquímica de la superficie funcionalizada se realiza mediante voltametría cíclica y espectroscopía de impedancia electroquímica, en relación a la capacidad de inhibición de la formación de óxido. En forma comparativa se analiza el grado de cubrimiento, la morfología estructural y las propiedades eléctricas de las películas obtenidas con ambos precursores. Referencias [1] Wallart X., de Villeneuve C.H., Allongue P., J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 7871. [2] Linford M.R., Fenter P., Eisenberger P.M., Chidsey C.E.D., J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 3145. [3] Sieval P.B., Demirel A.L., Nissink J.W.,Lindford M.R., van der MaasJ.H., de Jeu W.H., Z