Quimisorción y sensibilidad en sensores de gases

D.A. MIRABELLA; C. BUONO; C. M. ALDAO

SAn Luis

Congreso; VIII Encuentro de Física y Química de Superficies; 2018

En este trabajo derivamos las isotermas de adsorción disociativa y no-disociativa de oxígeno en una superficie semiconductora. Extendemos la teoría de quimisorción disociativa de Wolkenstein y re-examinamos los formalismos aceptados en la literatura [1]. En particular, incorporamos correctamente la quimisorción disociativa como una reacción de segundo orden. Determinamos las alturas de barrera y cubrimientos para diferentes presiones de oxígeno y dopados del sustrato. Finalmente, discutimos las consecuencias que esto tiene sobre la conductividad y la sensibilidad de los sensores [2].Referencias (Calibri 8)1.Rothschild, A. y Komem, Y., ?Numerical computation of chemisorption isotherms for device modeling of semiconductor gas sensors? Sens. Actuators B, Vol. 93, 362-369, 2003.2.Hua, Z., Li, Y., Zeng, Y., Wu, Y., ?A theoretical investigation of the power-law response of metal oxidesemiconductor gas sensors I: Schottky barrier control Sens. Actuators B, Vol. 255, 1911-1919, 2018.