Distribución de alturas de barreras intergranulares en semiconductores policristalinos

C. BUONO; F.SCHIPANI; M.A. PONCE; C.M. ALDAO

Santa Fe

Congreso; VII Encuentro de Física y Química de Superficies; 2016

El carácter puntual y distribución al azar de las impurezas en las zonas de deserción afectan directamente las barreras tipo Schottky que se forman en las superficies e interfaces semiconductoras. En particular, los gráficos de Arrhenius para la conductividad eléctrica, tanto para contactos metal-semiconductor como para contactos semiconductor-semiconductor, se curvan debido a las fluctuaciones en las alturas de barrera. Estos resultados se pueden ajustar suponiendo que el mecanismo de conducción es termoiónico con una distribución gaussiana de alturas de barrera. Sin embargo, mediante un modelado computacional, encontramos que las fluctuaciones de las alturas de barrera no presentan una distribución gaussiana. Más aún, con las alturas encontradas no es posible explicar la dependencia de la conductividad con la temperatura mediante una conducción termoiónica. Por el contrario, un mecanismo de conducción túnel presenta la dependencia observada experimentalmente sin recurrir al efecto de fluctuaciones.