Cambios en la conductividad de semiconductores producto de las uctuaciones en las barreras Schottky y su consecuencia en los sensores de gases

C. BUONO; D.A. MIRABELLA; P.M. DESIMONE; C.M. ALDAO

Taller; XVIII Taller Regional de Física Estadística y Aplicaciones a la Materia Condensada; 2021

Las barreras potenciales en las interfaces de los semiconductores presentan fluctuaciones debido alcaracter puntual y a la naturaleza aleatoria de las cargas electricas en las regiones de agotamiento,que afectan directamente la conductividad electrica. En este trabajo, nos enfocamos en estudiar lasfluctuaciones espaciales en la altura de las barreras dobles de Schottky que se forman en las superciesintergranulares de varios semiconductores compuestos policristalinos, tales como el oxido de estaño.Calculamos la influencia de las fluctuaciones en la conductividad en funcion de la presion de oxígeno.Basados en los resultados encontrados, determinamos la cobertura de adsorbato debido a la exposicióna diferentes presiones de oxgeno. Analizamos las consecuencias sobre la respuesta ya conocida de la leyde potencia para los sensores de gases.