Efecto De La Variación De La Fluencia Del Láser En La Morfología Y Estructura De Films De ZnO Crecidas Por Deposición De Láser Pulsado (PLD)

OLIVA M.I.; ZANDALIZINI, C. I.; FERRERO, J. C.; VALENTINUZZI, M.C>

Buenos Aires

Congreso; 2do Congreso Argentino de Microscopía SAMIC 2012; 2012

Comisión Nacional de Energía Atómica

El óxido de zinc es actualmente uno de los semiconductores más estudiados por sus amplias aplicaciones tecnológicas, como por ejemplo en dispositivos optoelectrónicos y piezoeléctricos, o celdas fotovoltaicas [1]. Es transparente en la región visible del espectro y posee alta movilidad electrónica, lo que permite su utilización como electrodo transparente entre otras. En films delgados, sus principales propiedades presentan una gran dependencia con la morfología superficial y orientación cristalográfica, es por esto que para obtener depósitos de calidad es necesario controlar la rugosidad y ordenamiento de los cristalitos. En este trabajo se presentan resultados de estudios cristalográficos, morfológicos, y de transmitancia para films de ZnO depositados sobre vidrio mediante la técnica de deposición por láser pulsado. En la preparación de las muestras se utilizaron diferentes fluencias del láser, manteniendo el resto de los parámetros de deposición sin cambios, con el objetivo de correlacionar  ésta con la calidad del film. Los estudios se realizaron utilizando las técnicas de difracción de RX (XRD), microscopía por barrido de electrones (SEM) y mediciones de transmitancia. Se observó que con fluencias menores a 1.0 J/cm2 no se consigue la fase en cuestión, mientras que para fluencias entre 3.2-1.0 J/ cm se consiguen depósitos completamente orientados en planos (00l). Además, estos depósitos presentaron una fuerte correlación de la transmitancia con la fluencia del láser, y una la transparencia del 95% en la región visible. En las imágenes por SEM se manifestó también una correlación con la fluencia, si bien en todos los casos los depósitos fueron suaves, se observó un aumento en la rugosidad a medida que se aumentaba la fluencia del láser. Estos resultados permiten correlacionar el parámetro fluencia con la calidad de los films de ZnO, dotando de una herramienta para optimizar a priori el crecimiento mediante PLD de estos films. [1] L. Znaidi, Mat. Sci. Eng. 174(2010) 18-30.