Plataforma de degradación de MOSFETs de potencia en aplicaciones de RMN de campo ciclado

MARIA DELFINA VELEZ IBARRA; GONZALO TOMAS VODANOVIC; BRIAN EZEQUIEL MARCHI; ALEJANDRA CELESTINA ACOSTA BAZAN

Resistencia

Congreso; IEEE ARGENCON 2020; 2020

En el presente trabajo se aborda el desarrollo de una plataforma para someter a un MOSFET de potencia a degradación acelerada. Se direcciona en particular al transistor MOSFET IXTN660N04T4 (Littelfuse), de tecnología Trench, que se utiliza en el desarrollo de un equipo de Resonancia Magnética Nuclear de Ciclado Rápido de Campo. El transistor ofrece grandes ventajas que contribuyen a la miniaturización, pero carece de datos relacionados a confiabilidad en operaciónlineal. La aplicación específica requiere este modo de operación, dado que se deben controlar niveles de corriente elevados por largo tiempo. Justamente esta operación, junto con el cicladonormal de este tipo de aparatos, hace que el transistor se vea sometido a un estrés considerable y motive el interés por explorar tanto mecanismos como precursores de falla. Con este propósito, se propone un esquema de degradación que utiliza elementos de bajo costo y logra una gran flexibilidad para la implementación de campañas de degradación. El sistema está dotado de diversos mecanismos de seguridad que evitan que el transistor sufra una falla catastrófica sin pasar por el perfil de degradación que se requiere. Los resultados obtenidos experimentalmente muestran un adecuado comportamiento de la plataforma.