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La generación y control de estados topológicosde la materia se encuentra hoy al frente de muchos esfuerzosconjuntos, incluyendo ingeniería de gaps de bandas basada endopantes, efectos de interacción, y aislantes topológicos deFloquet. Aquí exploramos efectos de muchos cuerpos basados en lainteracción electrón-fonón como manera de inducir transiciones defase topológicas en nanocintas de grafeno. Explotando la similitudcon los aislantes topológicos de Floquet, investigamos la emergenciade estados de borde topológicos en cintas de grafeno acopladas a unmodo longitudinal óptico. Evaluamos la densidad local de estados, elespectro de energía, y la fase de Zak para confirmar lacorrespondencia interior-frontera tanto en los estados topológicosnativos como aquellos inducidos por la interacción e-ph. Estudiamossu estabilidad frente a desorden de impurezas y vacancias en cintascon distintas geometrías. Nuestras simulaciones revelan una marcadadiferencia entre los dos tipos de estados topológicos: Mientras quela presencia de los estados nativos depende fuertemente de lageometría y el desorden alrededor del borde de la cinta, lapresencia de estados de borde inducidos por la vibración estáasegurada siempre y cuando las bandas satélite no esténcompletamente separadas entre sí. La remarcada estabilidad de estosestados los vuelve prometedores en aplicaciones en optoelectrónica ynanoelectrónica en general.p { margin-bottom: 0.1in; line-height: 120%; }